在失效分析工作流程中,進行非破壞性分析是優化封裝製程與提升封裝良率的第一步。此時會採用蔡司Xradia Versa 3D X-ray顯微鏡等儀器,以非破壞性方式顯現缺陷的位置,接著進行破壞性的物理失效分析(PFA)技術,以判定並解決失效的根本原因。如今,封裝互連與半導體BEOL尺寸已相互交會。PFA常用的機械式橫切面,現在已被要求必須迅速且精確到達深埋的結構與缺陷。此外,在半導體BEOL中採用像是極低介電係數等易碎材料,導致橫切面所引發的缺陷數量越來越多,這些因樣品製備造成的缺陷很難與晶片及封裝互動所造成的真正缺陷作出區別。