Lam Research 科林研發推出 Lam Cryo™ 3.0 低溫蝕刻技術，加速 3D NAND 在人工智慧時代的微縮 (新北新聞網-大台灣新聞網)

Lam Research 科林研發（那斯達克股票代號：LRCX）推出了 Lam Cryo™ 3.0，這是該公司經過生產驗證的第三代低溫介電層蝕刻技術，擴大了在 3D NAND 快閃記憶體蝕刻領域的領先地位。隨著生成式人工智慧（AI）的普及不斷推動更大容量和更高效能記憶體的需求，Lam Cryo 3.0 為未來先進 3D NAND 的製造提供了至關重要的蝕刻能力。Lam Cryo 3.0 利用超低溫、高功率侷限電漿反應器技術和創新的表面化學製程，以業界領先的精度和輪廓控制進行蝕刻。

「Lam Cryo 3.0 為客戶邁向 1,000 層 3D NAND 奠定基礎，」科林研發全球產品事業群資深副總裁 Sesha Varadarajan 說。「我們已經使用科林研發低溫蝕刻製造了五百萬片晶圓，這項最新技術是 3D NAND 生產領域的突破。它以埃米級精度建立高深寬比（HAR）特徵，同時對環境造成更低的影響，且蝕刻速率是傳統介電層製程的兩倍以上。Lam Cryo 3.0 是我們的客戶在人工智慧時代突破 NAND 關鍵製造挑戰所需的蝕刻技術。」

迄今為止，3D NAND 主要透過儲存單元的垂直層堆疊取得進展，這是透過蝕刻深而窄的 HAR 儲存通道實現的。蝕刻輪廓的極小原子級誤差可能會對晶片的電效能產生負面影響，並可能影響良率。經過最佳化的 Lam Cryo 3.0，可解決上述提及和其他微縮方面的蝕刻挑戰。

「人工智慧正在推升雲端和邊緣的快閃記憶體容量和效能的大量需求。促使晶片製造商擴大 NAND 快閃記憶體的規模，力爭在 2030 年底前實現 1,000 層 3D NAND。」Counterpoint Research 聯合創辦人暨研究副總裁 Neil Shah 表示。「Lam Cryo 3.0 低溫蝕刻技術是突破傳統技術的大躍進。它以近乎完美的精度和控制來蝕刻深寬比 50 倍以上的儲存通道，實現小於 0.1% 的蝕刻輪廓誤差。這一突破顯著提高了先進 3D NAND 的良率和整體效能，使晶片製造商能夠在人工智慧時代保持良好的競爭力。」

業界最先進的低溫蝕刻技術

Lam Cryo 3.0 利用該公司獨特的高功率侷限電漿反應器、製程改善和遠低於 -0^oC 的溫度，從而利用新型蝕刻化學製程。與科林研發最新的 Vantex® 介電層系統的可擴展脈衝電漿技術結合時，蝕刻深度和輪廓控制顯著增加。使用 Lam Cryo 3.0 技術，3D NAND 製造商可以蝕刻深度高達 10 微米的儲存通道，從頂部到底部的關鍵尺寸誤差*小於 0.1%。

其他亮點包括：

· 卓越的生產力：與傳統介電層製程相比，Lam Cryo 3.0 的蝕刻速度提高了兩倍半，具有更好的每片晶圓再現性，幫助 3D NAND 製造商以更低的成本實現高良率。

· 更強的永續性：與傳統蝕刻製程相比，Lam Cryo 使每片晶圓的耗能降低 40%，且降低碳排放量高達 90%。**

· 最大化設備投資：為了實現最佳輪廓控制和最快、最深的介電層蝕刻，Lam Cryo 3.0 可以整合到科林研發最新的 Vantex 系統中。它還與該公司的 Flex® HAR 介電層蝕刻產品組合相容，目前主要記憶體製造商均使用該產品進行大規模的 3D NAND 生產。

領先的 3D NAND 介電層蝕刻

Lam Cryo 3.0 進一步鞏固了該公司在晶圓製造蝕刻技術領域長達二十年的領先地位，其中包括七代 3D NAND。科林研發於 2019 年將全球首款低溫蝕刻產品投入量產。如今，在 NAND 生產中使用的超過 7,500 個科林研發 HAR 介電層蝕刻腔體中，已有近 1,000 個使用低溫蝕刻技術。

Lam Cryo 3.0 現以提供領先的記憶體製造商使用。它是科林研發用於 3D NAND 製造的廣泛蝕刻、沉積和清洗解決方案組合的最新成員。欲瞭解有關 Lam Cryo 3.0 的更多資訊，請瀏覽https://www.lamresearch.com/products/our-solutions/cryogenic-etching/。

關於科林研發

Lam Research 科林研發為半導體產業提供創新晶圓製造設備和服務的全球供應商。科林研發的晶圓製造設備與服務讓客戶能創建體積更小和效能更好的電子元件。事實上，今天幾乎所有先進晶片的製造都是利用科林研發的技術來製造。我們結合卓越的系統工程、技術領先的優勢和強大的價值導向文化，以及對客戶堅定不移的承諾。科林研發（那斯達克股票代號：LRCX）是一家 FORTUNE 500®公司，總部位於美國加州佛利蒙，營運遍及全球。欲了解更多資訊，請造訪 https://www.lamresearch.com/zh-hant/。

* 輪廓誤差透過最大臨界尺寸減去最小臨界尺寸除以記憶體通道深度計算得出。

** 來源：科林研發。基於 Lam Cryo 3.0 可實現的新型蝕刻化學制程。每個晶圓碳排放量減少 90%。使用 IPPC（政府間氣候變化專門委員會）溫室氣體清單指南計算的估計減排氣量。估計的減排氣量尚未經過獨立檢核。

關於前瞻性聲明

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